三星计划扩大1cnm DRAM生产，目标至2026年月产能达20万片晶圆——扩大生产规模，提升技术实力

三星计划扩大其1cnm DRAM生产规模，旨在提高产能以满足市场需求，该公司设定的目标是在2026年月产能达到20万片晶圆，这一举措反映了三星在半导体领域的持续投入和领先地位，旨在确保其在全球内存芯片市场的竞争力，扩大生产规模将有助于满足未来电子设备对高性能内存的需求，并推动三星在半导体技术领域的持续创新。

11月19日消息，据媒体报道，三星正在加快提升1cnm dram的生产能力，力争在hbm4市场中抢占领先地位。根据规划，公司计划于2026年第二季度将月产能提升至14万片晶圆，并在同年第四季度进一步扩大至每月20万片晶圆。这些关键节点标志着设备配置阶段的推进，目标是在各阶段完成后迅速实现大规模量产。

目前，三星的DRAM整体产能约为每月65万至70万片晶圆。这意味着新建的1cnm DRAM产线将在短期内占据总产能近三成的比例，其扩张速度甚至超过了2022年半导体繁荣期每月新增13万片晶圆的峰值增长水平。

为达成这一产能目标，三星正采取双管齐下的策略：一方面对现有DRAM产线进行技术升级和改造以实现平稳过渡，另一方面则通过位于平泽的P4工厂加大资本投入，建设全新生产线。

此次大规模扩产，体现了三星对1cnm DRAM技术前景以及未来市场需求的强烈信心。在人工智能迅猛发展的推动下，近期DRAM市场已呈现出供应紧张的局面。

面对相同的市场机遇，竞争对手SK海力士也宣布将于2025年内启动1cnm DRAM的量产工作，并计划在2026年实现全面投产。预计到2026年底，其在韩国本土生产的通用DRAM中，超过50%将采用1cnm工艺，并构建涵盖LPDDR与GDDR在内的完整新一代产品体系。