三星电子1c纳米DRAM内存良率大幅提升，设计改进成关键因素

据最新消息，三星电子在 1c 纳米 DRAM 内存技术方面取得了显著进展，据悉，该公司通过设计改进成功提升了内存良率，这将有助于提高其内存产品的生产效率及市场竞争力，这一突破对于整个半导体行业来说具有重要意义，有望推动相关技术的进一步发展和创新，摘要字数控制在 100-200字以内。

6 月 24 日消息，据韩国媒体 sedaily 当地时间本月 19 日的报道以及另一家韩媒 mk 今日的报道，三星电子第六代 10 纳米级（注：即 1c nm）dram 内存制造工艺，在设计优化等因素推动下，良率实现了显著提升。

SEDaily 报道指出，三星去年在 1c nm 内存上的良率尚不足 30%，而今年五月份进行的性能测试中，良率已上升至 50%~70%；MK 则提到了近期良率已超过 60% 的数据。

两家媒体均表示，此次良率大幅提升主要得益于重大的设计调整，尽管这种改动可能会导致量产时间有所推迟，但在技术上取得了明显的进步。

由于在 HBM 市场上的失利，三星电子在今年第一季度将 DRAM 内存营收冠军的位置让给了 SK 海力士。考虑到三星即将推出的 HBM4 内存正是基于 1c nm 工艺，该技术良率的改善有望为三星的重新崛起提供有力支撑。