英伟达CEO黄仁勋对韩国存储芯片产业表示赞赏，并鼓励韩国加快构建AI基础设施，他认为韩国在半导体领域具有强大的实力，并认为其在AI领域也有巨大的潜力，黄仁勋的建议是为了促进韩国在AI领域的进一步发展，利用现有优势推动产业升级，这一建议对于韩国来说具有重要的战略意义，有望推动其在全球AI产业中的领先地位。
11 月 3 日消息，据 TheLec 报道，英伟达首席执行官黄仁勋对韩国存储芯片产业给予高度评价，并强调与三星电子及 SK 海力士的深度合作关系。
在韩国庆州出席亚...
日本三大EUV光刻胶巨头志在必得，积极扩产以应对即将到来的2nm工艺需求，他们投入巨资扩大生产规模，以确保在先进制程技术中的领先地位，这一举措对于整个半导体行业具有重要意义，有望推动全球半导体产业的发展。11月3日资讯，euv工艺已成为5nm节点之后不可或缺的关键技术。目前全球仅荷兰asml能够制造euv光刻机，而在euv光刻胶领域，日本则展现出强大优势。面向2nm及更先进制程，日本三大化工巨头正加速产能扩张。
东京应化工业（Tokyo Ohka Kogyo）近日宣布，...
DDR6内存和GDDR8显存技术在未来五年内将逐渐发展并应用，尽管AMD尚未使用GDDR7技术，但行业内的技术竞争依然激烈，这些新一代内存和显存技术将有望带来更出色的性能和效率，推动计算机硬件的持续发展。
11月4日，在韩国举行的SK AI峰会中，SK海力士披露了其未来存储技术的发展蓝图。作为全球三大存储原厂之一，SK海力士在行业内的技术导向作用不容小觑。
根据公布的信息，存储领域的下一个关键转折点预计将在2029至2031年间到来，尤其集中在2030年前后，届时多项...
随着科技的不断发展，内存价格不断攀升，已经超过了黄金价格，到了2025年，换机成本已经悄然翻倍，这一现象主要是由于内存制造技术的复杂性和原材料短缺等因素导致的，对于消费者来说，高昂的换机成本将成为一个重要的考虑因素，也将促使厂商在技术研发和成本控制方面做出更多努力。
在这场上游成本飙升的冲击下，消费者换机成本显著上升。尤其在新旗舰机型中，不同内存版本之间的差价动辄上千元，部分机型甚至出现超过2000元的价格差距。面对如此悬殊的定价，是否还值得为“新”而买单？
1 内存...
随着供需缺口的不断扩大，存储产品涨价不可避免，预计明年将持续缺货，存储市场的供需矛盾已经高达200%，市场供应紧张局势愈发严峻，对于消费者和企业而言，存储产品的选择和购买需提前规划，以避免因缺货而带来的不便。
快科技11月3日讯，慧荣科技总经理苟嘉章在近期接受采访时谈到，随着人工智能应用的迅猛发展，全球存储产业正面临一场结构性、长期性的严重缺货局面。
他表示，三大DRAM原厂——SK海力士、三星与美光，以及包括铠侠、长江存储在内的NAND闪存供应商，目前产能已被全部预...
小米员工表示担忧，明年成本预估可能会带来涨价，员工吐槽称预估成本较高，可能会让消费者感到惊悚，目前具体情况尚不确定，但这一消息引发了关于小米产品未来价格的关注和讨论，小米员工担忧明年成本上涨可能导致产品涨价，员工表示预估成本较高，引发消费者关注。今年以来，全球内存与存储芯片价格持续上涨，已对智能手机等终端设备带来了明显冲击。近日，cnmo注意到，这一涨价趋势预计将持续至2026年。
11月3日，小米通讯技术有限公司产品行销总监马志宇在社交平台发文表示，刚看到公司针对...
内存价格暴涨25%，缺货潮持续至明年，三星延迟报价导致市场紧张局势加剧，由于供应链中断和需求激增，内存市场受到严重冲击，价格不断攀升，三星等厂商面临生产挑战，市场供需失衡，预计短期内难以缓解，消费者和企业需做好应对准备，关注市场动态，适时调整采购策略。
当前内存市场正面临前所未有的动荡，AI技术的迅猛发展引发算力需求井喷，叠加数据中心大规模扩张、原厂库存持续走低以及DDR4产能加速退出等多重压力，普通消费者正被迫承担不断攀升的成本。
更令人关注的是，《电子时报》援引产...
11 月 4 日消息，关于存储芯片涨价的传闻早已在市场上发酵。据《韩国经济新闻》在2025年10月的报道，业内知情人士透露，三星、sk海力士等核心存储原厂已正式通知客户，计划于2025年第四季度将dram与nand闪存的合约价格上调最高达30%。
面对这一趋势，小米通讯技术有限公司产品行销总监马志宇近日在社交平台发文感慨：
刚刚看到明年最新的成本预估，有点惊悚……嗯，就是这次双十一，如果还能叠加国补，就且买且珍惜吧
他还补充道：“其实用内存的都涉及，只是 PC 的...
三星首发LPDDR6内存，速度高达10.7Gbps，展现了强大的技术实力，该公司还将继续挑战更高的速度极限，有望推出速度高达14.4Gbps的内存产品，这一技术的持续进步将推动智能手机和其他电子设备性能的提升，为用户带来更流畅、更高效的体验。11月9日消息，三星宣布将在ces 2026上展示全球首款lpddr6内存，初始速率即达到10.7gbps，也可表述为10.7gt/s或10.7ghz。
LPDDR6内存规范于今年7月正式发布，采用双子通道架构设计。尽管JEDEC未...
存储巨头闪迪NAND闪存价格上涨约50%，受此影响，多家模组厂商宣布暂停出货，由于NAND闪存供应紧张，价格上涨趋势可能持续一段时间，对电子产品制造商和消费者造成一定影响，行业正在密切关注市场动态，以应对可能的供应链问题，摘要字数控制在约150字左右。11月10日，据相关报道，全球知名存储品牌sandisk（闪迪）于本月将nand flash闪存的合约价大幅调涨50%，引发业界高度关注。
这一价格调整并非个例。早在今年10月，三星电子便传出暂停DDR5内存合约报价的消息...