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内存涨价影响新品推出,模组企业调整产品规划

内存涨价影响新品推出,模组企业调整产品规划
11 月 17 日消息,受 ai 技术迅猛发展的推动,市场对 hbm、lpddr5x、ddr5 等服务器级 dram 产品的需求激增,导致消费级内存价格迎来显著上涨。这一趋势不仅推高了整机系统的售价,抑制了 diy 用户的装机热情,也对内存模组行业的整体发展带来了负面影响。 ▲ 图源:相关评测据德国媒体 Hardwareluxx 报道,多家内存模组厂商透露,原计划于今年下半年发布的部分新型号或新规格内存条将推迟上市,甚至可能取消发布。这些企业正选择观望 DRAM 市...

三星重新夺回第三季度DRAM市场销量冠军,市占率达34.8%

三星重新夺回第三季度DRAM市场销量冠军,市占率达34.8%
三星在第三季度DRAM市场中销量大增,市占率达到34.8%,重新夺回市场第一的宝座,其强大的技术实力和产品质量赢得了消费者的信赖,使其在激烈的竞争中脱颖而出,此次的成功不仅彰显了三星在DRAM领域的领先地位,也预示着其在未来科技领域的持续发展和创新。11月20日,据相关报道,三星电子在2023年第三季度重回全球dram市场销售额榜首,得益于高带宽内存(hbm)出货量大幅上升以及通用dram产品价格持续攀升,带动其季度营收创下新高。 根据市场研究机构ChinaFlashM...

内存价格飙升,预计涨幅达50%!

内存价格飙升,预计涨幅达50%!
据Counterpoint最新报告,内存价格预计将继续上涨,涨幅高达50%,受供应链紧张、需求增加和生产成本上升等多重因素影响,内存市场面临价格上涨的压力,消费者和企业需留意内存价格的变化,并做好预算规划,此次内存价格上涨将对电脑、电子设备和智能设备等领域产生一定影响。11月19日消息,根据counterpoint research最新一期的双周报告《生成式人工智能内存解决方案》,2025年第四季度内存价格预计上涨30%,明年初可能上涨20%,此前年初已有50%的价格上涨。...

内存涨价持续超预期,三星、SK海力士四季度DRAM涨幅显著上升

内存涨价持续超预期,三星、SK海力士四季度DRAM涨幅显著上升
内存价格持续上涨,三星和SK海力士等厂商在四季度的DRAM涨幅超出预期,市场供不应求,导致内存价格不断攀升,这对电脑、手机等电子产品制造商和消费者都带来了不小的影响,当前形势表明,内存涨价趋势难以在短期内刹车。11月24日,受人工智能强劲需求拉动,dram市场正迎来一轮被称为“超级周期”的繁荣阶段,韩国两大存储巨头三星电子与sk海力士成为最大赢家。 随着高附加值产品及传统DRAM订单激增,行业分析指出,两家公司预计在2025年第四季度的DRAM平均销售价格(ASP)将显...

减产背后的策略,三星、SK海力士优先赚钱,拒绝扩大内存产量引发涨价风波

减产背后的策略,三星、SK海力士优先赚钱,拒绝扩大内存产量引发涨价风波
近期,三星和SK海力士等内存生产商拒绝扩大产量,故意减产纵容价格上涨,他们优先考虑盈利而非满足市场需求,导致内存价格居高不下,这种策略引发了市场关注和批评,尤其是在当前全球供应链紧张的情况下,对消费者和企业造成了不利影响。12月2日,尽管内存价格持续飙升,全球两大存储巨头三星与sk海力士却并未计划扩大产能,而是将重心放在利润最大化上。 目前,这两家企业合计掌控着超过70%的内存市场产量。面对所谓的“内存超级周期”,双方均强调其战略核心是维持长期盈利能力,而非盲目扩产。...

DIY玩家的挑战时刻,三星、SK海力士和美光联手推动内存价格飙升

DIY玩家的挑战时刻,三星、SK海力士和美光联手推动内存价格飙升
DIY玩家面临史上最艰难时刻,因为内存市场巨头三星、SK海力士和美光联手推动内存价格上涨,这一行动给DIY装机市场带来巨大压力,使得消费者面临更高的硬件成本,这一事件引发了行业内外的广泛关注。12月4日消息,刚刚,美光再度在内存价格持续飙升的“伤口”上撒了一把盐。 美光宣布,经过审慎评估后作出一项“艰难决定”——全面退出消费级存储市场,停止生产面向PC用户的SSD与内存条产品,这也意味着自1996年创立、已运营近30年的“Crucial(英睿达)”品牌正式终结。 ​​​...

华邦电子发布16nm制程8Gb DDR4 DRAM,专为工业和嵌入式应用设计

华邦电子发布16nm制程8Gb DDR4 DRAM,专为工业和嵌入式应用设计
华邦电子推出了一款采用先进16nm制程技术的8Gb DDR4 DRAM,专为工业和嵌入式应用设计,这款DRAM具有高性能和低功耗特点,有助于提高设备性能和能效,该产品的推出将满足不断发展的工业电子和嵌入式系统需求,为各种设备提供更可靠、更高效的内存解决方案。12月5日,华邦电子正式发布全新8gb ddr4 dram芯片,该产品基于华邦自主研发的16nm先进制程工艺打造,兼具更高运行频率、更低功耗表现以及更强的成本竞争力,广泛适配智能电视、数据中心服务器、网络通信设备、工业控制...

三星突破10nm DRAM技术,内存容量与性能有望大幅提升

三星突破10nm DRAM技术,内存容量与性能有望大幅提升
三星宣布成功突破10nm DRAM技术,这一创新将有望大幅提升内存容量与性能,新技术的运用将带来更高的集成度,提高设备的运行速度和效率,业界普遍认为,这将为未来的电子产品市场带来革命性的变革,推动计算机、智能手机等领域的进一步发展,三星此次技术突破有望重塑全球内存市场格局。12月17日,据the elec消息,三星联合三星先进技术研究所(sait)已成功研发出一款新型晶体管,可支持在10纳米以下制程节点制造dram芯片。 这项技术突破有望突破移动内存持续微缩过程中遭遇的...

钰创董事长预测,内存短缺将持续至2027年,价格上扬旨在回归合理价值

钰创董事长预测,内存短缺将持续至2027年,价格上扬旨在回归合理价值
钰创董事长表示,内存短缺问题将持续到2027年,且价格上涨只是让价值回归合理,面对内存供应紧张的局面,该行业将面临长期挑战,摘要字数控制在100-200字以内。12月18日快讯,钰创科技董事长卢超群发出预警:dram市场供不应求的态势,预计将持续至2027年年中甚至更久。 在已连续三个月涨价、且业内普遍预期2026年价格将进一步走高的背景下,卢超群强调,当前的价格回升并非短期波动,而是DRAM价值向合理水平的回归。他指出,过去多年消费者习惯了内存价格被严重压低,但那种“...

内存市场进入超级牛市,价格飙升超2018年历史高点,持续上涨趋势预测!

内存市场进入超级牛市,价格飙升超2018年历史高点,持续上涨趋势预测!
内存市场迎来超级牛市,价格不断攀升,已超越2018年的历史高点,市场供需失衡,供应短缺,而需求持续增长,推动内存价格不断刷新纪录,业内人士预测,市场热度还将持续,价格有望继续保持上涨态势,这一趋势对内存产业及相关领域将产生深远影响,引发行业内外的广泛关注。1月7日,据市场研究机构counterpoint research最新发布的行业报告披露,内存市场已正式迈入“超级牛市”周期,当前市场热度与价格水平均已突破2018年创下的历史峰值。 在人工智能应用加速落地及服务器内存...