晶飞半导体成功实现12英寸碳化硅晶圆剥离，自研激光剥离设备显成效
晶飞半导体成功利用自主研制的激光剥离设备实现了对12英寸碳化硅晶圆的剥离，这一技术突破标志着晶飞半导体在半导体材料加工领域的技术实力得到了进一步提升，有助于推动碳化硅材料在半导体产业的应用和发展，此次成果的实现，不仅提高了晶飞半导体的市场竞争力，也为整个半导体行业的发展注入了新的动力。
9 月 9 日消息，由中国科学院半导体研究所科技成果转化设立的北京晶飞半导体科技有限公司近日宣布，已成功通过自主研制的激光剥离设备完成 12 英寸（300mm）碳化硅（SiC）晶圆的剥离...