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中国光刻胶领域取得重大突破，成功合成微观三维全景照片，其分辨率优于5纳米，这一技术成果将为微电子制造领域带来革命性变革，有望提高芯片制造的精度和效率，此次突破不仅展示了中国在光刻胶领域的实力，也标志着中国在微电子制造领域迈出了重要的一步。10月26日，我国在光刻胶研究领域迎来重要进展！ 据《科技日报》报道，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者，创新性地采用冷冻电子断层扫描技术，首次在液相环境中实现了对光刻胶分子微观三维结构、界面分布及缠结行为的原位解析，并...

针对日本对特定技术的限制，韩国SK海力士决定加速国产化EUV光刻胶的研发和生产，拒绝被“卡脖子”，这一举措展现了韩国在半导体领域的自主创新能力以及对日本限制的应对策略，此举不仅有助于减少对国外技术的依赖，还将推动本土半导体产业的进一步发展，SK海力士的决策在国际半导体产业中引起了广泛关注。12月7日最新消息显示，此前关于日本断供光刻胶的传闻虽遭日方否认，但业内普遍认为其在光刻胶领域的主导地位已构成实质性技术制约——尤其在尖端euv光刻胶环节，jsr、信越化学、东京应化（tok...